Modello dinamico - reattivo del bjt (19)
La carica che fluisce all'interno dei dispositivi elettronici possiede una massa non nulla e per attraversare le diverse zone, deve trascorrere un intervallo di tempo. Come è stato osservato per il diodo, anche nel transistore bipolare a giunzione la presenza delle due regioni pn comporta l'esistenza di capacità interne.
Si può dunque descrivere un modello dinamico, definito modello a controllo di carica, anche per il transistore bipolare a giunzione npn (figura 1), analogo per il pnp, dal quale si possono ottenere alcuni parametri fondamentali per quanto riguarda le prestazioni in velocità.
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Figura 1: bjt come coppia di diodi con capacità in parallelo. |
Per semplicità, riconduciamo il modello di Ebers & Moll a equazioni più semplici:
In particolare, per la corrente di effetto transistore, ci si permette di chiamare i due termini in questo modo:
- Polarizzazione attiva diretta (AD): il termine XBC è molto piccolo, poiché l'esponenziale raggiunge valori infinitesimi a seguito della polarizzazione inversa tra base e collettore. Le correnti possono essere così approssimate:il circuito equivalente ha la forma raffigurata in figura 2:
Figura 2: circuito equivalente in polarizzazione attiva diretta. - Polarizzazione attiva diretta (AR): questa volta il termine XBE è infinitesimo, poiché la regione base emettitore è polarizzata inversamente. Le correnti possono essere approssimate nel seguente modo:
Figura 3: circuito equivalente in polarizzazione attiva inversa. |
Si possono dunque unire i due modelli, inserire le capacità legate alle giunzioni e ottenere il seguente circuito equivalente, mostrato in figura 4:
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Figura 4: modello di bjt con cariche associate alle giunzioni. |
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Figura 1: caratteristiche del modello a soglia per le cariche di giunzione. |
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